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SOI是指將一薄層硅置于一絕緣襯底上。晶體管將在稱之為'SOI' 的薄層硅上制備。基于SOI結構上的器件將在本質上可以減小結電容和漏電流，提高開關速度，降低功耗，實現高速、低功耗運行。作為下一代硅基集成電路技術，SOI廣泛應用于微電子的大多數領域，同時還在光電子、MEMS等其它領域得到應用。森爍科技致力于為客戶提供各種硅片解決方案，針對客戶不同需求提供定制化服務，在重視客戶滿意度及質量服務至上，持續提升本公司經營績效，不斷改善創新，專注于半導體行業研發領域，研發創新科學技術，取得技術與品質皆優的產品。為客戶提供可定制高質量半導體單晶硅片SOI絕緣硅片，其高質量品質獲客戶一致好評，回購率高且銷售國內外各地，其參數規格如下： 外形尺寸：4‘，5’6‘8’ 工藝：Smart cut;Bonding;SIMOX 類型：N/P 頂層單晶厚度：0.22~50um 埋氧層厚度：0.4~4um 基底層厚度：100~500um TTV＜3um Paritlce＜10@0.3um