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GaN HEMT器件性能的評(píng)估，一般包含靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（I-V測(cè)試）、頻率特性（小信號(hào)S參數(shù)測(cè)試）、功率特性（Load-Pull測(cè)試）。靜態(tài)參數(shù)，也被稱作直流參數(shù)，是用來(lái)評(píng)估半導(dǎo)體器件性能的基礎(chǔ)測(cè)試，也是器件使用的重要依據(jù)。以閾值電壓Vgs（th）為例，其值的大小對(duì)研發(fā)人員設(shè)計(jì)器件的驅(qū)動(dòng)電路具有重要的指導(dǎo)意義。 
靜態(tài)測(cè)試方法，一般是在器件對(duì)應(yīng)的端子上加載電壓或者電流，并測(cè)試其對(duì)應(yīng)參數(shù)。與Si基器件不同的是，GaN器件的柵極閾值電壓較低，甚至要加載負(fù)壓。常見(jiàn)的靜態(tài)測(cè)試參數(shù)有：閾值電壓、擊穿電壓、漏電流、導(dǎo)通電阻、跨導(dǎo)、電流坍塌效應(yīng)測(cè)試等。
基于高性能數(shù)字源表SMU的氮化鎵器件表征設(shè)備推薦
SMU，即源測(cè)量單元，是一種用于半導(dǎo)體材料，以及器件測(cè)試高性能儀表。與傳統(tǒng)的萬(wàn)用表，以及電流源相比，SMU集電壓源、電流源、電壓表、電流表以及電子負(fù)載等多種功能于一體。此外，SMU還具有多量程，四象限，二線制/四線制測(cè)試等多種特性。一直以來(lái)，SMU在半導(dǎo)體測(cè)試行業(yè)研發(fā)設(shè)計(jì)，生產(chǎn)流程得到了廣泛應(yīng)用。同樣，對(duì)于氮化鎵的測(cè)試，高性能SMU產(chǎn)品也是不可少的工具。
武漢普賽斯儀表有限公司是，是一家專注于半導(dǎo)體的電性能測(cè)試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)與銷售的研發(fā)型高新技術(shù)企業(yè)。公司以源表為核心產(chǎn)品，專注于第三代半導(dǎo)體測(cè)試，提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。
未來(lái)，普賽斯儀表基于國(guó)產(chǎn)化高精度數(shù)字源表（SMU）的測(cè)試方案，以更優(yōu)的測(cè)試能力、更準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果、更高的可靠性與更Q面的測(cè)試能力，聯(lián)合更多行業(yè)客戶，共同助力我國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)高可靠高質(zhì)量發(fā)展。更多有關(guān)寬禁帶器件測(cè)試高電壓大電流源詳情找普賽斯儀表專員為您解答一八一四零六六三四七六