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包裝 : 帶卷（TR） 可替代的包裝 FET類型 : MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET功能 : 邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss） : 40V 電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)） : 100A（Tc） 不同Id，Vgs時(shí)的RdsOn（ 值） : 1.4 毫歐 @ 25A，10V 不同Id時(shí)的Vgs（th）（ 值） : 2.2V @ 1mA 不同Vgs時(shí)的柵極電荷（Qg） : 96nC @ 10V 不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss） : 6661pF @ 20V 功率- 值 : 238W 安裝類型 : 表面貼裝 封裝/外殼 : SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應(yīng)商器件封裝 : LFPAK56，Power-SO8