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寶融公司（B&R）優勢代理銷售蘇州鍇威特半導體股份有限公司（CONVERT品牌）全系列平面MOS管、快恢復高壓MOSFET（FRMOS）、SiC功率器件、智能功率IC等產品。 Planar VDMOS 產品特點與技術優勢 高可靠性，1000小時0失效 高溫下低漏電，Idss小于10uA@150℃ 老化考核耐壓變化小于5V EAS能力強 EMI指標裕度充裕 上機失效率低 FR VDMOS 產品特點與技術優勢 集成快恢復體二極管 采用鉑金重摻工藝制造 性能穩定，參數一致性好 的反向恢復電荷 應用領域 電機驅動 LLC拓撲等開關電源 逆變器 SJMOS 產品特點與技術優勢 的損耗 高可靠性 易于應用 應用領域 適配器 UPS LCD&PDP TV PFC 太陽能 開關電源等 Trench MOS 通過采用進的溝槽柵工藝技術和的結構設計，鍇威特實現了功率密度化，從而大幅度降低電流傳導過程中的導通功率損耗。同時，電流在芯片元胞當中的流通會更加均勻穩定，其有效降低了柵極電荷（Qg），尤其是柵極漏極間的電荷（Qgd），從而在快速開關過程中降低開關功率損耗。通過采用這些的技術手段，MOSFET的FOM（Qg x Rdson）得以實現行業內的水平。 產品特點與技術優勢 低FOM（ Qg x Rdson ） 高可靠性 具有低的柵極電荷 應用領域 UPS 逆變器 交流/直流電源的同步整流 電機驅動 開關電源等 碳化硅二極管 相較于硅基快恢復二極管，碳化硅肖特基二極管具有極小的反向恢復時間及反向恢復電荷特性，有助于降低系統應用的功率損耗。由于碳化硅二極管的器件特性，不隨結溫提高而有所變化，對于系統應用可大幅降低傳統快恢復二極管帶來的電磁干擾問題，并提高系統的可靠性。 碳化硅MOSFET 碳化硅MOS管具備高頻切換特性， 有助電力電子系統大幅縮減設計尺寸、提高功功率密度。相較于IGBT器件，碳化硅MOS管不產生拖尾電流，可有效改善開關損耗，提升系統效率。 Photo Triac(可控硅輸出光電耦合器)： 可控硅輸出光電耦合器將一顆紅外GaAs光電二極管和光敏可控硅組合封裝。處于安全考慮，弱電和強電間需要進行隔離處理，而又需要弱電對強電進行控制，而光電耦合器是一種非常適合應用于這種場合的器件。 可實現5000V絕緣耐壓過零和非過零兩種方式可選 應用領域 空調、洗衣機等家電 辦公設備 工業設備 電磁閥控制 AC電機控制 固態繼電器 Photo MOS(MOSFET輸出光電耦合器)： 指在輸入元件中采用LED，在輸出元件中采用MOSFET的光電耦合器。和機械式繼電器相比，大幅提高產品可靠性及壽命，并實現了小型化， 因此逐步取代機械繼電器應用于各個領域。 應用領域 太陽能發電系統 蓄電池系統 測量儀器 OA設備 工業設備 醫療設備 固態繼電器 FRED(超快恢復二極管)： 白金重摻少子壽命控制技術 Polyimide鈍化結構 超快恢復時間 軟恢復特性 正向壓降優化 175C工作結溫 應用領域 電機驅動續流二極管 PFC 逆變器 IGBT續流二極管測量儀器 開關電源 IGBT 產品特點與技術優勢 采用的Trench FS技術 低飽和壓降 低開關損耗 正溫度系數易于并聯 注：* 表示產品研發中 Ready RC IGBT 應用領域 交直流電機驅動 不間斷電源 電磁爐 逆變器 開關電源等 Half Bridge Driver IC 產品概述 半橋驅動系列芯片內部集成電平轉換電路，將低壓控制信號轉換為高壓驅動信號，兼有光耦隔離（體積小）和電磁隔離（速度快）的優點。內置動態dv/dt噪聲消除電路和的高壓電平轉換電路提供了出色的抗干擾能力，可適應惡劣環境。提供各種保護和驅動能力以及獨立的高/低側通道和單輸入通道可供用戶選擇，廣泛應用于電機驅動、開關電源等多種應用領域。 應用領域 交直流電機驅動? 變頻家電 智能家居、機器人? 電動車 功率MOS/IGBT驅動? 消費電子 60V單相半橋驅動芯片 產品概述 CSV5060 是一款可驅動和低端N 溝道MOSFET 的高壓柵極驅動芯片，可用于同步降壓和半橋/全橋拓撲中。懸浮電壓的工作電壓可以高達60V，工作頻率可以達1MHz。 CSV5060 內部集成了邏輯輸入信號處理電路、死區時間控制電路、使能控制電路、欠壓鎖死電路、閉鎖電路、電平位移電路、脈沖濾波電路及輸出驅動電路。 應用領域 電機驅動器 半橋/全橋轉換器 功率MOS驅動 消費電子 主要特性 高側懸浮電壓+60V 輸出電流能力+5A/-5A 高側/低側獨立的欠壓保護 閉鎖功能，防止上、下功率管同時導通 內置死區時間保護，死區時間可通過外部電阻調整 使能控制功能 輸出與輸入同向，低端輸出與輸入反向 DFN3x3-10L和MSOP10封裝