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寶融公司（B&R）優(yōu)勢代理銷售蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司（CONVERT品牌）全系列平面MOS管、快恢復(fù)高壓MOSFET（FRMOS）、SiC功率器件、智能功率IC等產(chǎn)品。 Planar VDMOS 產(chǎn)品特點(diǎn)與技術(shù)優(yōu)勢 高可靠性，1000小時(shí)0失效 高溫下低漏電，Idss小于10uA@150℃ 老化考核耐壓變化小于5V EAS能力強(qiáng) EMI指標(biāo)裕度充裕 上機(jī)失效率低 FR VDMOS 產(chǎn)品特點(diǎn)與技術(shù)優(yōu)勢 集成快恢復(fù)體二極管 采用鉑金重?fù)焦に囍圃? 性能穩(wěn)定，參數(shù)一致性好 的反向恢復(fù)電荷 應(yīng)用領(lǐng)域 電機(jī)驅(qū)動(dòng) LLC拓?fù)涞乳_關(guān)電源 逆變器 SJMOS 產(chǎn)品特點(diǎn)與技術(shù)優(yōu)勢 的損耗 高可靠性 易于應(yīng)用 應(yīng)用領(lǐng)域 適配器 UPS LCD&PDP TV PFC 太陽能 開關(guān)電源等 Trench MOS 通過采用進(jìn)的溝槽柵工藝技術(shù)和的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，鍇威特實(shí)現(xiàn)了功率密度化，從而大幅度降低電流傳導(dǎo)過程中的導(dǎo)通功率損耗。同時(shí)，電流在芯片元胞當(dāng)中的流通會更加均勻穩(wěn)定，其有效降低了柵極電荷（Qg），尤其是柵極漏極間的電荷（Qgd），從而在快速開關(guān)過程中降低開關(guān)功率損耗。通過采用這些的技術(shù)手段，MOSFET的FOM（Qg x Rdson）得以實(shí)現(xiàn)行業(yè)內(nèi)的水平。 產(chǎn)品特點(diǎn)與技術(shù)優(yōu)勢 低FOM（ Qg x Rdson ） 高可靠性 具有低的柵極電荷 應(yīng)用領(lǐng)域 UPS 逆變器 交流/直流電源的同步整流 電機(jī)驅(qū)動(dòng) 開關(guān)電源等 碳化硅二極管 相較于硅基快恢復(fù)二極管，碳化硅肖特基二極管具有極小的反向恢復(fù)時(shí)間及反向恢復(fù)電荷特性，有助于降低系統(tǒng)應(yīng)用的功率損耗。由于碳化硅二極管的器件特性，不隨結(jié)溫提高而有所變化，對于系統(tǒng)應(yīng)用可大幅降低傳統(tǒng)快恢復(fù)二極管帶來的電磁干擾問題，并提高系統(tǒng)的可靠性。 碳化硅MOSFET 碳化硅MOS管具備高頻切換特性， 有助電力電子系統(tǒng)大幅縮減設(shè)計(jì)尺寸、提高功功率密度。相較于IGBT器件，碳化硅MOS管不產(chǎn)生拖尾電流，可有效改善開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率。 Photo Triac(可控硅輸出光電耦合器)： 可控硅輸出光電耦合器將一顆紅外GaAs光電二極管和光敏可控硅組合封裝。處于安全考慮，弱電和強(qiáng)電間需要進(jìn)行隔離處理，而又需要弱電對強(qiáng)電進(jìn)行控制，而光電耦合器是一種非常適合應(yīng)用于這種場合的器件。 可實(shí)現(xiàn)5000V絕緣耐壓過零和非過零兩種方式可選 應(yīng)用領(lǐng)域 空調(diào)、洗衣機(jī)等家電 辦公設(shè)備 工業(yè)設(shè)備 電磁閥控制 AC電機(jī)控制 固態(tài)繼電器 Photo MOS(MOSFET輸出光電耦合器)： 指在輸入元件中采用LED，在輸出元件中采用MOSFET的光電耦合器。和機(jī)械式繼電器相比，大幅提高產(chǎn)品可靠性及壽命，并實(shí)現(xiàn)了小型化， 因此逐步取代機(jī)械繼電器應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。 應(yīng)用領(lǐng)域 太陽能發(fā)電系統(tǒng) 蓄電池系統(tǒng) 測量儀器 OA設(shè)備 工業(yè)設(shè)備 醫(yī)療設(shè)備 固態(tài)繼電器 FRED(超快恢復(fù)二極管)： 白金重?fù)缴僮訅勖刂萍夹g(shù) Polyimide鈍化結(jié)構(gòu) 超快恢復(fù)時(shí)間 軟恢復(fù)特性 正向壓降優(yōu)化 175C工作結(jié)溫 應(yīng)用領(lǐng)域 電機(jī)驅(qū)動(dòng)續(xù)流二極管 PFC 逆變器 IGBT續(xù)流二極管測量儀器 開關(guān)電源 IGBT 產(chǎn)品特點(diǎn)與技術(shù)優(yōu)勢 采用的Trench FS技術(shù) 低飽和壓降 低開關(guān)損耗 正溫度系數(shù)易于并聯(lián) 注：* 表示產(chǎn)品研發(fā)中 Ready RC IGBT 應(yīng)用領(lǐng)域 交直流電機(jī)驅(qū)動(dòng) 不間斷電源 電磁爐 逆變器 開關(guān)電源等 Half Bridge Driver IC 產(chǎn)品概述 半橋驅(qū)動(dòng)系列芯片內(nèi)部集成電平轉(zhuǎn)換電路，將低壓控制信號轉(zhuǎn)換為高壓驅(qū)動(dòng)信號，兼有光耦隔離（體積小）和電磁隔離（速度快）的優(yōu)點(diǎn)。內(nèi)置動(dòng)態(tài)dv/dt噪聲消除電路和的高壓電平轉(zhuǎn)換電路提供了出色的抗干擾能力，可適應(yīng)惡劣環(huán)境。提供各種保護(hù)和驅(qū)動(dòng)能力以及獨(dú)立的高/低側(cè)通道和單輸入通道可供用戶選擇，廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、開關(guān)電源等多種應(yīng)用領(lǐng)域。 應(yīng)用領(lǐng)域 交直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)? 變頻家電 智能家居、機(jī)器人? 電動(dòng)車 功率MOS/IGBT驅(qū)動(dòng)? 消費(fèi)電子 60V單相半橋驅(qū)動(dòng)芯片 產(chǎn)品概述 CSV5060 是一款可驅(qū)動(dòng)和低端N 溝道MOSFET 的高壓柵極驅(qū)動(dòng)芯片，可用于同步降壓和半橋/全橋拓?fù)渲小腋‰妷旱墓ぷ麟妷嚎梢愿哌_(dá)60V，工作頻率可以達(dá)1MHz。 CSV5060 內(nèi)部集成了邏輯輸入信號處理電路、死區(qū)時(shí)間控制電路、使能控制電路、欠壓鎖死電路、閉鎖電路、電平位移電路、脈沖濾波電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路。 應(yīng)用領(lǐng)域 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 半橋/全橋轉(zhuǎn)換器 功率MOS驅(qū)動(dòng) 消費(fèi)電子 主要特性 高側(cè)懸浮電壓+60V 輸出電流能力+5A/-5A 高側(cè)/低側(cè)獨(dú)立的欠壓保護(hù) 閉鎖功能，防止上、下功率管同時(shí)導(dǎo)通 內(nèi)置死區(qū)時(shí)間保護(hù)，死區(qū)時(shí)間可通過外部電阻調(diào)整 使能控制功能 輸出與輸入同向，低端輸出與輸入反向 DFN3x3-10L和MSOP10封裝