產品介紹
山東可控硅模塊 格|可控硅模塊 格|可控硅模塊|正高供
對單向可控硅來說，當柵極電壓達到門限值VGT且柵電流達到門限值IGT時，可控硅被觸發(fā)導通。當觸發(fā)電流的脈寬較窄時，則應提高觸發(fā)電平。當負載電流超過單向可控硅的閂電流IL時，即使此時的柵電流減為零，可控硅仍能維持導通狀態(tài)。為了保證電路在環(huán)境相當?shù)蜏囟惹闆r下也能正常工作，則要求驅動電路能提供足夠高的電壓、電流及占
空比的控制信號。
高靈敏度的單向可控硅，會在高溫下因陽－陰極間的漏電流而誤觸發(fā)，應確保不超過TJMAX。為了可靠地關斷單向可控硅，負載電流必須降到低于保持電流IH，并維持一定的時間。
標準的雙向可控硅既可被柵極的正向電流觸發(fā)，也能被柵極的反向電流觸發(fā)，它可以在四個象限內導通。在負載電流為零時，相當好用反相的直流或單極性脈沖的（柵極）電流觸發(fā)。
在通常的交流相位控制電路中，如電燈調光器和家用馬達調速器等，可控硅G與MT2的極性要一致，在設計可控硅時要避免在3＋區(qū)域內工作（MT2為－，G為＋）。
值得注意的是，雙向可控硅可能在一些意想不到的情況下觸發(fā)導通，其后果有些問題不大，而有些則有潛在的破壞性。
1.柵極上的噪聲電平
在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅內部的正反饋，則也會被觸發(fā)導通。應用安裝時，首先要使柵極外的連線盡可能短。當連線不能很短時，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。然后在G與MT1之間加一個1kΩ的電阻來降低其靈敏度，也可以再并聯(lián)一個100nF的電容，來濾掉高頻噪聲。
2.關于轉換電壓變化率
當驅動一個大的電感性負載時，在負載電壓和電流間有一個很大的相移。當負載電流過零時，雙向可控硅開始換向，但由于相移的關系，電壓將不會是零。所以要求可控硅要迅速關斷這個電壓。如果這時換向電壓的變化超過允許值時，就沒有足夠的時間使結間的電荷釋放掉，而被迫使雙向可控硅回到導通狀態(tài)。
為了克服上述問題，可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網絡來限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā)。一般，電阻取100Ω，電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉。
3.關于轉換電流變化率
當負載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時，會使轉換電流變化率變高，這種情況相當易在感性負載的情況下發(fā)生，很容易導
