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可控硅整流器簡介
可控硅整流器是一種常用的電力半導體電子器件，具有控制開關數千瓦乃至兆瓦級電功率的能力.從結構上說，它是 一種反向截止三極管型的閘流晶體管，由三個PN結(PN-PN四層)構成.器件的外引線有陰極、陽極、控制極三個電極，典型大電流可控硅整流器的示意剖面見圖.器件的反向特性(陽極接負)和PN結二極管的反向特性相似;其正向特性，在 范圍內器件處于阻抗很高的關閉狀態(正向阻斷態，即伏安特性一象限中虛線下的實線部分).當正向瞬間電壓大于轉折電壓時，器件迅速轉變到低電壓大電流的通導狀態.
可控硅標記符號、伏安特性及示意剖面圖
處于正向阻斷態的器件，如果給予控制極一低功率的觸發信號(使控制極-陰極PN結導通)，則器件可迅速被激發到導通狀態，之后毋須繼續保持觸發電流即可維持在通導狀態，此時若將電流降至維持電流(伏安特性虛線處)以下，器件可恢復到阻斷狀態.
可控硅整流器：主電路采用三相橋或雙反星形帶平衡電抗器電路。可控硅元件采用大功率元件，節能顯 著。主控制系統采用大板高檻抗干擾、大規模集成控制板；模塊及集成元件全部采用進口，可靠性高。具有自動穩壓、穩流，穩定精度優于1%。具有0~60S軟起動，電鍍氧化著色時間可任意設定，自動定時。采用多相整流，減小輸出電壓紋波系數ru，特別適應于鍍硬鉻工藝，表面光潔度好，鍍層厚度均勻。冷卻方式：水冷、風冷、自冷。
晶閘管全稱晶體閘流管，又稱可控硅:是一種功率半導體器件。它具有容量大、效率高、可控性好、壽命長以及體積小等諸多優點，是弱電控制和被控強電之間的橋梁。從節能的觀點出發，電力電子技術被譽為新電氣技術。我國的能源利用率較低，按國民生產單產能耗計算，我國則是法國的 倍、日本的 倍，因此以晶閘管為核心的電氣控制裝置的普及使用是我國有效節約電能的一項重要措施。
可控硅整流器結構
通常用雙三極管來描述可控硅的四層結構，看成一NPN和PNP晶體管的互聯. 若兩晶體管的共基極電流放大系數分別為α1和α2(均為工作狀態的函數)，導通的必要條件是α1+α2?1.阻斷狀態下， 兩晶體管的電流放大系數均很小;若在正向阻斷狀態下，于控制極注入一正向電流，則NPN管的電流放大系數α1迅速增大，并導致α2的增大，從而滿足
