把掩膜版上的圖形按照一定的比例縮小復(fù)制到涂布有光刻膠的晶圓上,分區(qū)域進(jìn)行步進(jìn)式曝光。本機(jī)臺(tái)可用于125mm×125mm掩模和φ100mm及150mm的晶圓高精度投影曝光,曝光精度可達(dá)500nm。
技術(shù)指標(biāo):
RESOLUTION:0.5μm
LENSDISTORTION:≤0.9μm
RETICLEALIGNMENT ACCURACY:≤0.02μm
STEPPINGACCURACY:≤0.08μm
OVERLAYACCURACY:≤0.15μm(X,Y)
OPEN FLAME(MAX.EXPOSURE AREA):17.5×17.5mm