GaN HEMT器件性能的評估，一般包含靜態參數測試（I-V測試）、頻率特性（小信號S參數測試）、功率特性（Load-Pull測試）。靜態參數，也被稱作直流參數，是用來評估半導體器件性能的基礎測試，也是器件使用的重要依據。以閾值電壓Vgs（th）為例，其值的大小對研發人員設計器件的驅動電路具有重要的指導意義。   靜態測試方法，一般是在器件對應的端子上加載電壓或者電流，并測試其對應參數。與Si基器件不同的是，GaN器件的柵極閾值電壓較低，甚至要加載負壓。常見的靜態測試參數有：閾值電壓、擊穿電壓、漏電流、導通電阻、跨導、電流坍塌效應測試等。寬禁帶器件測試高電壓大電流源認準普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六； 武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子股份有限公司的全資子公司，是一家專注于半導體的電性能測試儀表的開發、生產與銷售的研發型高新技術企業。公司以源表為核心產品，專注于第三代半導體測試，提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。   未來，普賽斯儀表基于國產化高精度數字源表（SMU）的測試方案，以更優的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更Q面的測試能力，聯合更多行業客戶，共同助力我國第三代半導體行業高可靠高質量發展。